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IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

compliant

IPD30N06S2L-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 80µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 136W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

PSMN004-55W,127
PSMN004-55W,127
$0 $/morceau
IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2
$0 $/morceau
NTB45N06LG
NTB45N06LG
$0 $/morceau
IPFH6N03LA G
IRFP264
IRFP264
$0 $/morceau
IRFU13N15D
IPP80N06S2L-06
IPP05N03LB G
IRF3711ZCSTRR

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