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IPD50N04S308ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

compliant

IPD50N04S308ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.44398 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 40µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2350 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IPI045N10N3GXKSA1
IXTY4N65X2
IXTY4N65X2
$0 $/morceau
IPB075N04LG
BSS209PWH6327XTSA1
BSP296NH6433XTMA1
IXTH96N25T
IXTH96N25T
$0 $/morceau
FDMS86300DC
FDMS86300DC
$0 $/morceau
IPA60R360P7SXKSA1
NTPF150N65S3HF
NTPF150N65S3HF
$0 $/morceau
2SK2736-E

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