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IPD50R280CEATMA1

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MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

non conforme

IPD50R280CEATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.57400 -
5,000 $0.54530 -
12,500 $0.52480 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 13V
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 350µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 773 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 119W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

HUF76633S3ST-F085
HUF76633S3ST-F085
$0 $/morceau
IRFZ24NSTRL
IRF7321D2
IRF7321D2
$0 $/morceau
RRS125N03TB1
RRS125N03TB1
$0 $/morceau
FQI32N12V2TU
FDMC7692S-F126
FDMC7692S-F126
$0 $/morceau
IPB085N06L G
IXFK88N20Q
IXFK88N20Q
$0 $/morceau
NVMFS5833NT3G
NVMFS5833NT3G
$0 $/morceau

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