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IPD50R500CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

compliant

IPD50R500CEBTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
28 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 13V
rds activé (max) à id, vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 433 pF @ 100 V
fonctionnalité FET Super Junction
puissance dissipée (max) 57W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

BUK7M17-80EX
BUK7M17-80EX
$0 $/morceau
R8006KND3TL1
R8006KND3TL1
$0 $/morceau
IRFU130ATU
SIJA52DP-T1-GE3
FQP6N40C
FQP6N40C
$0 $/morceau
SI4874BDY-T1-GE3
SPD30N08S2-22
SQJQ112E-T1_GE3

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