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IPD60N10S4L12ATMA1

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IPD60N10S4L12ATMA1

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

compliant

IPD60N10S4L12ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.53823 -
5,000 $0.51132 -
12,500 $0.49210 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 46µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3170 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 94W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-313
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SIRA10DP-T1-GE3
PMV100XPEA,215
IXFH46N65X2
IXFH46N65X2
$0 $/morceau
STFU24N60M2
STFU24N60M2
$0 $/morceau
FQD2N50TF
DMP2067LVT-13
FQP6N50C
2SK2932-E
APL502LG
APL502LG
$0 $/morceau
STFW3N150
STFW3N150
$0 $/morceau

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