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IPD60R1K5CEATMA1

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MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3

non conforme

IPD60R1K5CEATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.21979 -
5,000 $0.20561 -
12,500 $0.19143 -
25,000 $0.18150 -
23 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 90µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 200 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 28W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

AOB288L
IPI90R340C3XKSA2
IXFH32N100X
IXFH32N100X
$0 $/morceau
SQD40052EL_GE3
SQD40052EL_GE3
$0 $/morceau
SIHF22N60E-GE3
SIHF22N60E-GE3
$0 $/morceau
DMG3414U-7
DMG3414U-7
$0 $/morceau
SUP70101EL-GE3
SUP70101EL-GE3
$0 $/morceau
IRFZ34NPBF
IRFR5410TRLPBF

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