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IPD60R600E6

IPD60R600E6

IPD60R600E6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

compliant

IPD60R600E6 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.62471 -
5,000 $0.59721 -
12,500 $0.57756 -
25,000 $0.56185 -
62,500 $0.54613 -
1988 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 440 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 63W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

STP20NF06L
STP20NF06L
$0 $/morceau
NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG
$0 $/morceau
AON6294
AUIRL3705ZSTRL
IRF100P218AKMA1
FQB5N50CTM
DMT615MLFV-13
FQB44N10TM
FQB44N10TM
$0 $/morceau
RJ1L12CGNTLL
RJ1L12CGNTLL
$0 $/morceau

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