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IPD65R1K4CFDATMA1

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MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

compliant

IPD65R1K4CFDATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.45461 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 262 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 28.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SI4896DY-T1-GE3
IRFR214PBF
IRFR214PBF
$0 $/morceau
PJA3438_R1_00001
NDF08N60ZH
NDF08N60ZH
$0 $/morceau
IXTA4N65X2
IXTA4N65X2
$0 $/morceau
SI4151DY-T1-GE3
RMP3N90IP
RMP3N90IP
$0 $/morceau
SIHA25N60EFL-E3
RD3H160SPFRATL
IXTH1N450HV
IXTH1N450HV
$0 $/morceau

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