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IPD70N12S311ATMA1

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MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31

non conforme

IPD70N12S311ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.95604 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 120 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 70A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 83µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4355 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

APT11N80BC3G
FCP190N65S3R0
FCP190N65S3R0
$0 $/morceau
SQJA20EP-T1_BE3
SFT1431-TL-W
SFT1431-TL-W
$0 $/morceau
RQ5E035BNTCL
RQ5E035BNTCL
$0 $/morceau
FQU3N40TU
ZXM61N02FTC
ZXM61N02FTC
$0 $/morceau
NTD30N02G
NTD30N02G
$0 $/morceau

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