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IPD80R1K4CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

non conforme

IPD80R1K4CEBTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.52788 -
5,000 $0.50464 -
12,500 $0.48804 -
25,000 $0.47476 -
62,500 $0.46148 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 240µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 570 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 63W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

PMR280UN,115
PMR280UN,115
$0 $/morceau
FDPF79N15
FDPF79N15
$0 $/morceau
RFP14N05
RFP14N05
$0 $/morceau
BUK9832-55A,115
BUK9832-55A,115
$0 $/morceau
AO4435L
IPP050N06N G
AUIRLR2703
IRFH7107TRPBF
RSS080N05FU6TB

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