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IPD80R2K8CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

non conforme

IPD80R2K8CEBTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.39861 -
5,000 $0.38107 -
12,500 $0.36853 -
25,000 $0.35850 -
62,500 $0.34847 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 120µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 290 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRLS3034-7PPBF
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/morceau
FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
$0 $/morceau
IPP057N08N3GHKSA1
NTDV6414ANT4G
NTDV6414ANT4G
$0 $/morceau
IRFSL4310ZPBF
SI7866ADP-T1-E3
SI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3
$0 $/morceau

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