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IPG20N04S409AATMA1

IPG20N04S409AATMA1

IPG20N04S409AATMA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

IPG20N04S409AATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 22µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2250pF @ 25V
puissance - max 54W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-4
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Numéro de pièce associé

FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/morceau
AON6884L
APTMC120HM17CT3AG
BUK9MTT-65PBB,518
STM1683411
STM1683411
$0 $/morceau
NTMFD4902NFT3G-S
NTMFD4902NFT3G-S
$0 $/morceau
IRF84093
IRF84093
$0 $/morceau
BUK9MRR-65PKK,518

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