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IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L50ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

compliant

IPG20N06S2L50ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.50532 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 55V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 19µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 560pF @ 25V
puissance - max 51W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-4
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Numéro de pièce associé

PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX
$0 $/morceau
IPG16N10S461ATMA1
FDMD8680
FDMD8680
$0 $/morceau
SCH2408-TL-E
SCH2408-TL-E
$0 $/morceau
SI4559ADY-T1-E3
DMG1016UDW-7
DMP2900UDW-13
DMTH4011SPD-13

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