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IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

SOT-23

non conforme

IPG20N10S4L22ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.77077 -
10,000 $0.75460 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 25µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1755pF @ 25V
puissance - max 60W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-4
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Numéro de pièce associé

EPC2104
EPC2104
$0 $/morceau
DMN2016LFG-7
NVMFD5C470NLWFT1G
NVMFD5C470NLWFT1G
$0 $/morceau
ECH8661-TL-H
ECH8661-TL-H
$0 $/morceau
QS8J2TR
QS8J2TR
$0 $/morceau
FW907-TL-E
FW907-TL-E
$0 $/morceau
MCH6660-TL-H
MCH6660-TL-H
$0 $/morceau
BUK9K20-80EX
BUK9K20-80EX
$0 $/morceau
SI1967DH-T1-BE3
NX3008NBKV,115

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