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IPI024N06N3GHKSA1

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MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

compliant

IPI024N06N3GHKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 196µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 275 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 23000 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IPP50R140CPHKSA1
IRFH5206TRPBF
RSY200N05TL
RSY200N05TL
$0 $/morceau
SI4403BDY-T1-GE3
NVD4813NHT4G
NVD4813NHT4G
$0 $/morceau
SPD50P03L
SPD50P03L
$0 $/morceau
IRLIB4343
IRLIB4343
$0 $/morceau
2SK3546J0L
FDG327NZ
FDG327NZ
$0 $/morceau
STR1P2UH7
STR1P2UH7
$0 $/morceau

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