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IPI037N06L3GHKSA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

non conforme

IPI037N06L3GHKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 90A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 93µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 79 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13000 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 167W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IXTA02N450HV
IXTA02N450HV
$0 $/morceau
NVMFS5C450NT1G
NVMFS5C450NT1G
$0 $/morceau
BUK9660-100A,118
IRF7207TRPBF
AOD4136L
IXFN150N15
IXFN150N15
$0 $/morceau
IRF730L
IRF730L
$0 $/morceau
AO3400_101
SI1417EDH-T1-GE3

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