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IPI040N06N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

compliant

IPI040N06N3GXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.75000 $1.75
10 $1.57900 $15.79
100 $1.26840 $126.84
500 $0.98656 $493.28
1,000 $0.81744 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 90A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 90µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 11000 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 188W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

DMP21D2UFA-7B
CSD23382F4
CSD23382F4
$0 $/morceau
RM75N60T2
RM75N60T2
$0 $/morceau
IRFR120TRLPBF-BE3
APT6010JFLL
RV3CA01ZPT2CL
IXFN130N30
IXFN130N30
$0 $/morceau
DMT69M8LFV-7
FQPF4N90C
FQPF4N90C
$0 $/morceau
NTTFS4945NTAG
NTTFS4945NTAG
$0 $/morceau

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