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IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223

compliant

IPN80R1K2P7ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.50896 -
6,000 $0.48631 -
15,000 $0.47013 -
3636 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 80µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 300 pF @ 500 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-SOT223
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

IXFT50N50P3
IXFT50N50P3
$0 $/morceau
IRFHS9301TRPBF
IPB50N10S3L16ATMA1
NVMFS5C404NLWFAFT1G
NVMFS5C404NLWFAFT1G
$0 $/morceau
STH130N8F7-2
STH130N8F7-2
$0 $/morceau
SQA401EJ-T1_GE3
IPD90P03P404ATMA1
NVTFS4C13NWFTWG
NVTFS4C13NWFTWG
$0 $/morceau
APT5014BFLLG
BSS138BKVL
BSS138BKVL
$0 $/morceau

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