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IPP024N06N3G

IPP024N06N3G

IPP024N06N3G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

IPP024N06N3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.38000 $1.38
500 $1.3662 $683.1
1000 $1.3524 $1352.4
1500 $1.3386 $2007.9
2000 $1.3248 $2649.6
2500 $1.311 $3277.5
13836 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IRFI520GPBF
IRFI520GPBF
$0 $/morceau
BSD214SNH6327XTSA1
SI3460BDV-T1-E3
DMG4496SSS-13
SI4626ADY-T1-E3
SI7129DN-T1-GE3
AO3421E
PSMN7R5-30YLDX

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