Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IPP065N04N G

IPP065N04N G

IPP065N04N G

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

non conforme

IPP065N04N G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2800 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3
paquet / étui TO-220-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

FQD3P50TM-F085
FQD3P50TM-F085
$0 $/morceau
STD2NK70ZT4
STD2NK70ZT4
$0 $/morceau
STP23NM60ND
STP23NM60ND
$0 $/morceau
APT50M80B2VRG
IRF644NPBF
IRF644NPBF
$0 $/morceau
FQI4N20LTU
FQI4N20LTU
$0 $/morceau
IRLR2908PBF
IRFR7746PBF-INF
RP1E090XNTCR
RP1E090XNTCR
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.