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IPP086N10N3G

IPP086N10N3G

IPP086N10N3G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

compliant

IPP086N10N3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IRFR220NTRRPBF
FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/morceau
STB30NM60ND
STB30NM60ND
$0 $/morceau
SPP07N65C3HKSA1
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/morceau
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/morceau
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/morceau
FQU6N40CTU

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