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IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

compliant

IPP60R385CPXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $1.52556 $762.78
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 340µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 790 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

RSF010P03TL
RSF010P03TL
$0 $/morceau
FQD13N10TM
FQD13N10TM
$0 $/morceau
UJ4C075023K4S
UJ4C075023K4S
$0 $/morceau
DMN2046U-7
DMN2046U-7
$0 $/morceau
R6006ANDTL
R6006ANDTL
$0 $/morceau
2N7002NXBKR
2N7002NXBKR
$0 $/morceau
DMT3020LFVW-7
STD1HN60K3
STD1HN60K3
$0 $/morceau
PXN010-30QLJ
PXN010-30QLJ
$0 $/morceau
SIR500DP-T1-RE3

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