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IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

compliant

IPP65R125C7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.93000 $4.93
10 $4.39900 $43.99
100 $3.60730 $360.73
500 $2.92106 $1460.53
1,000 $2.46354 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 440µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1670 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 101W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

FCPF250N65S3R0L-F154
FCPF250N65S3R0L-F154
$0 $/morceau
NVTFS5C460NLWFTAG
NVTFS5C460NLWFTAG
$0 $/morceau
PJC7428_R1_00001
IRFBG20PBF
IRFBG20PBF
$0 $/morceau
IXTP4N80P
IXTP4N80P
$0 $/morceau
FDMC8321LDC
FDMC8321LDC
$0 $/morceau
SI7619DN-T1-GE3
RM10N30D2
RM10N30D2
$0 $/morceau

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