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IPP80CN10NGHKSA1

IPP80CN10NGHKSA1

IPP80CN10NGHKSA1

MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3

compliant

IPP80CN10NGHKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 12µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 716 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 31W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRFHM9331TR2PBF
SUP85N02-03-E3
SUP85N02-03-E3
$0 $/morceau
IPD60R1K4C6
IXTC62N15P
IXTC62N15P
$0 $/morceau
64-2096PBF
NTMFS4931NT3G
NTMFS4931NT3G
$0 $/morceau
IRFP22N60K
IRFP22N60K
$0 $/morceau
IPB096N03LG
IRF3315SPBF

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