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IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S2L-07 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 150µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3160 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 210W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

STV160NF02LAT4
NTD24N06T4G
NTD24N06T4G
$0 $/morceau
STI21NM60ND
STI21NM60ND
$0 $/morceau
SIS334DN-T1-GE3
FQI9N08LTU
FQI9N08LTU
$0 $/morceau
SPB80N03S2L-05 G
STB141NF55-1
STB141NF55-1
$0 $/morceau
IXFT60N25Q
IXFT60N25Q
$0 $/morceau
RFP8P05
RFP8P05
$0 $/morceau
FDMC6675BZ-T
FDMC6675BZ-T
$0 $/morceau

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