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IPT65R190CFD7XTMA1

IPT65R190CFD7XTMA1

IPT65R190CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 8HSOF

compliant

IPT65R190CFD7XTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.58920 $2.5892
500 $2.563308 $1281.654
1000 $2.537416 $2537.416
1500 $2.511524 $3767.286
2000 $2.485632 $4971.264
2500 $2.45974 $6149.35
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TOLL
paquet / étui 8-PowerSFN
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Numéro de pièce associé

DMT8008LFG-13
IPB65R145CFD7AATMA1
DMT2004UFG-7
NTMFS4C302NT3G
NTMFS4C302NT3G
$0 $/morceau
R6020YNXC7G
R6020YNXC7G
$0 $/morceau
MCG30N03-TP
MCG30N03-TP
$0 $/morceau
STO68N65DM6
STO68N65DM6
$0 $/morceau
FBG04N08AC
FBG04N08AC
$0 $/morceau
IPP016N06NF2SAKMA1
FDMA8878-F130
FDMA8878-F130
$0 $/morceau

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