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IPW65R041CFDFKSA1

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IPW65R041CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

SOT-23

non conforme

IPW65R041CFDFKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.43000 $14.43
10 $13.21200 $132.12
240 $11.38788 $2733.0912
720 $9.86765 $7104.708
1,200 $9.13795 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 68.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 41mOhm @ 33.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 3.3mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8400 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3-1
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

FCP165N65S3
FCP165N65S3
$0 $/morceau
SFP2955
SFP2955
$0 $/morceau
SQJ180EP-T1_GE3
SI7116BDN-T1-GE3
CSD18535KCS
CSD18535KCS
$0 $/morceau
SI2387DS-T1-GE3
IRF7204TRPBF
STF17NF25
STF17NF25
$0 $/morceau
FCD380N60E
FCD380N60E
$0 $/morceau

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