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IPW65R110CFDFKSA2

IPW65R110CFDFKSA2

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

SOT-23

non conforme

IPW65R110CFDFKSA2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
240 $5.26679 $1264.0296
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 31.2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 1.3mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3240 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 277.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3-41
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

FQI2P25TU
PSMN3R3-60PLQ
PSMN3R3-60PLQ
$0 $/morceau
IRFD123PBF
IRFD123PBF
$0 $/morceau
ATP304-TL-H
ATP304-TL-H
$0 $/morceau
PMZ130UNEYL
PMZ130UNEYL
$0 $/morceau
IRLML2030TRPBF
SIR472ADP-T1-GE3
IXFX64N60P3
IXFX64N60P3
$0 $/morceau
NTMFS4941NT1G
NTMFS4941NT1G
$0 $/morceau
AUIRFR3607TRL

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