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IPW65R150CFDAFKSA1

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IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

compliant

IPW65R150CFDAFKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
240 $4.67800 $1122.72
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 900µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2340 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 195.3W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

MTP16N25E
MTP16N25E
$0 $/morceau
SI2314EDS-T1-GE3
AOUS66616
FCP360N65S3R0
FCP360N65S3R0
$0 $/morceau
IPB180N04S4LH0ATMA1
FQB16N25CTM
SI7450DP-T1-GE3
ISC026N03L5SATMA1
BUK7905-40AIE,127

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