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IRF135S203

IRF135S203

IRF135S203

MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3

compliant

IRF135S203 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $2.38228 $1905.824
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 135 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 129A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.4mOhm @ 77A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 9700 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 441W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

AON6522
RE1C001UNTCL
RE1C001UNTCL
$0 $/morceau
BSZ12DN20NS3GATMA1
FDFMA3P029Z
SI4425BDY-T1-E3
IRFR224PBF
IRFR224PBF
$0 $/morceau
APT50M65B2FLLG
STB20N90K5
STB20N90K5
$0 $/morceau
TN5335N8-G
TN5335N8-G
$0 $/morceau

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