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IRF640NLPBF

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MOSFET N-CH 200V 18A TO262

compliant

IRF640NLPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.05000 $2.05
10 $1.86400 $18.64
100 $1.51910 $151.91
500 $1.20556 $602.78
1,000 $1.01745 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1160 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-262
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

SI3476DV-T1-GE3
SQM100N10-10_GE3
IPD60R600C6ATMA1
APT10090SLLG
BSZ065N06LS5ATMA1
AUIRL2203N
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
DMNH6008SCTQ
RM6N100S4
RM6N100S4
$0 $/morceau

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