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IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

compliant

IRF6662TRPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,800 $0.92807 -
9,600 $0.90860 -
7560 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.3A (Ta), 47A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.9V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1360 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ MZ
paquet / étui DirectFET™ Isometric MZ
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Numéro de pièce associé

SQD50P04-13L_T4GE3
IRF7483MTRPBF
PJA7002H_R1_00001
IXFR48N60Q3
IXFR48N60Q3
$0 $/morceau
NVMTS4D3N15MC
NVMTS4D3N15MC
$0 $/morceau
PMV28UNEAR
PMV28UNEAR
$0 $/morceau
FDS7764A
SI2319DS-T1-GE3
IPB083N15N5LFATMA1
STH140N8F7-2
STH140N8F7-2
$0 $/morceau

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