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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 25 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 35A (Ta), 213A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 1.1mOhm @ 35A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.1V @ 100µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 62 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±16V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 5435 pF @ 13 V |
| fonctionnalité FET | Schottky Diode (Body) |
| puissance dissipée (max) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET™ MX |
| paquet / étui | DirectFET™ Isometric MX |
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