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IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF

MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN

compliant

IRFH5302TRPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.50050 -
8,000 $0.47548 -
12,000 $0.45760 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.35V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4400 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 100W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PQFN (5x6) Single Die
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

FDFMA2P029Z-F106
FDFMA2P029Z-F106
$0 $/morceau
APT20M22JVR
BSS138PW,115
BSS138PW,115
$0 $/morceau
FQPF4N60
PJQ2422_R1_00001
NTMS4935NR2G
NTMS4935NR2G
$0 $/morceau
ZXMP10A17GQTA
NVMFS5113PLT1G
NVMFS5113PLT1G
$0 $/morceau
SIHA240N60E-GE3
DMG6402LDM-7

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