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IRFHM8363TR2PBF

IRFHM8363TR2PBF

IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

non conforme

IRFHM8363TR2PBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A
rds activé (max) à id, vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.35V @ 25µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1165pF @ 10V
puissance - max 2.7W
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
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Numéro de pièce associé

PMV30XPEA,215-NXP
PMV30XPEA,215-NXP
$0 $/morceau
PMDPB760ENX
PMDPB760ENX
$0 $/morceau
APTM120A80FT1G
APTM50DSKM65T3G
GWM180-004X2-SMD
GWM180-004X2-SMD
$0 $/morceau
APTML102UM09R004T3AG
FDMD8430
FDMD8430
$0 $/morceau
MCX3152P-TP
MCX3152P-TP
$0 $/morceau
VKM40-06P1
VKM40-06P1
$0 $/morceau
MIC94030BM4 TS
MIC94030BM4 TS
$0 $/morceau

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