Welcome to ichome.com!
Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 25 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 13mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.35V @ 25µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 10.4 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 653 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 2.1W (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) |
paquet / étui | 6-PowerVDFN |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.