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IRFIZ34E

IRFIZ34E

IRFIZ34E

MOSFET N-CH 60V 21A TO220AB FP

IRFIZ34E Fiche de données

non conforme

IRFIZ34E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 37W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-FP
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IRF7779L2TR1PBF
HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/morceau
ZVP0120AS
ZVP0120AS
$0 $/morceau
SFW2955TM
FDD9407-F085
FDD9407-F085
$0 $/morceau
2SJ656
2SJ656
$0 $/morceau
AON6782
SI4483EDY-T1-GE3
NTJS3151PT2
NTJS3151PT2
$0 $/morceau

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