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IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN

non conforme

IRLHS6342TRPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.23688 -
8,000 $0.22313 -
12,000 $0.20938 -
28,000 $0.19975 -
855 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.7A (Ta), 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 10µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1019 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-PQFN (2x2)
paquet / étui 6-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

SQA405CEJW-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
DMP31D7LT-13
STI14NM50N
STI14NM50N
$0 $/morceau
SIHFU310-GE3
SIHFU310-GE3
$0 $/morceau
SISS61DN-T1-GE3
STB270N4F3
STB270N4F3
$0 $/morceau
ISL9N306AS3ST
FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
$0 $/morceau
SUD09P10-195-BE3

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