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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 800 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 17A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 290mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 3.9V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 177 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 2320 pF @ 25 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 42W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-31 |
paquet / étui | TO-220-3 Full Pack |
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