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SPB02N60C3

SPB02N60C3

SPB02N60C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

SPB02N60C3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
11500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IXTP86N20X4
IXTP86N20X4
$0 $/morceau
ZXMP10A13FQTA
IPW60R080P7XKSA1
MMFTP5618
MMFTP5618
$0 $/morceau
AOT11S65L
FCP850N80Z
FCP850N80Z
$0 $/morceau
BF2040E6814HTSA
SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3
$0 $/morceau
SIHA15N60E-E3
SIHA15N60E-E3
$0 $/morceau

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