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SPB02N60S5ATMA1

SPB02N60S5ATMA1

SPB02N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3

compliant

SPB02N60S5ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
94 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 80µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 240 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 25W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

PMV130ENEAR
PMV130ENEAR
$0 $/morceau
SI2303CDS-T1-E3
FDD6035AL
FDD4243-F085
FDD4243-F085
$0 $/morceau
DMP4065S-13
DMP4065S-13
$0 $/morceau
STH170N8F7-2
STH170N8F7-2
$0 $/morceau
IXFN140N20P
IXFN140N20P
$0 $/morceau
IXFN66N85X
IXFN66N85X
$0 $/morceau
EPC2016C
EPC2016C
$0 $/morceau

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