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SPB80N03S2L-04

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

non conforme

SPB80N03S2L-04 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 130µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3900 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 188W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRF7422D2TRPBF
IRF740LC
IRF740LC
$0 $/morceau
SI7358ADP-T1-GE3
BUK7509-75A,127
2N7002K,215
2N7002K,215
$0 $/morceau
TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
$0 $/morceau
SI7123DN-T1-GE3
BSC014N06LS5ATMA1
BUK9Y07-30B,115
PSMN6R1-25MLD,115

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