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SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1

MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3

compliant

SPD02N80C3ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.56744 -
5,000 $0.54218 -
12,500 $0.52414 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 120µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 290 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

PSMN015-60PS,127
IRFP460PBF
IRFP460PBF
$0 $/morceau
PMPB07R3ENX
PMPB07R3ENX
$0 $/morceau
SQJ488EP-T1_BE3
BSC032NE2LSATMA1
NVTFS6H854NTAG
NVTFS6H854NTAG
$0 $/morceau
IXTA170N075T2
IXTA170N075T2
$0 $/morceau
SPW11N80C3FKSA1
FDG326P
FDG326P
$0 $/morceau
SI4368DY-T1-E3
SI4368DY-T1-E3
$0 $/morceau

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