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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 560 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 11.6A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 3.9V @ 500µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 49 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1200 pF @ 25 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 125W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3-1 |
| paquet / étui | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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