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SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3

compliant

SPI80N03S2L-06 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 80µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2530 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3-1
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

FDS6298_G
FDS6298_G
$0 $/morceau
IPD800N06NGBTMA1
SPB80N06S2L-06
FQB12N60CTM
FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/morceau
FQI27P06TU
FQI27P06TU
$0 $/morceau
AUIRLS3036-7P
SI5463EDC-T1-E3

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