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IV1D12010O2

IV1D12010O2

IV1D12010O2

Inventchip

SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2

compliant

IV1D12010O2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.78000 $11.78
500 $11.6622 $5831.1
1000 $11.5444 $11544.4
1500 $11.4266 $17139.9
2000 $11.3088 $22617.6
2500 $11.191 $27977.5
190 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 28A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 575pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2
package d'appareils du fournisseur TO-220-2
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C (TJ)
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Numéro de pièce associé

PMEG045T100EPDZ
SM5819L2-TP
SM5819L2-TP
$0 $/morceau
NRVTS10100EMFST3G
NRVTS10100EMFST3G
$0 $/morceau
BY550-200
BY550-200
$0 $/morceau
S1D
S1D
$0 $/morceau
DSK34
DSK34
$0 $/morceau

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