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IV1D12010T2

IV1D12010T2

IV1D12010T2

Inventchip

SIC DIODE, 1200V 10A, TO-247-2

non conforme

IV1D12010T2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.78000 $11.78
500 $11.6622 $5831.1
1000 $11.5444 $11544.4
1500 $11.4266 $17139.9
2000 $11.3088 $22617.6
2500 $11.191 $27977.5
120 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 30A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 575pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-2
package d'appareils du fournisseur TO-247-2
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C (TJ)
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Numéro de pièce associé

RSFMLHR3G
1N3289RA
1N3289RA
$0 $/morceau
FFSD10120A
FFSD10120A
$0 $/morceau
ERT1BAFC_R1_00001
JANTX1N5420/TR
TMBYV10-60FILM
BAT46ZFILM
BAT46ZFILM
$0 $/morceau

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