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IV1Q12050T3

IV1Q12050T3

IV1Q12050T3

Inventchip

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

compliant

IV1Q12050T3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $39.28000 $39.28
500 $38.8872 $19443.6
1000 $38.4944 $38494.4
1500 $38.1016 $57152.4
2000 $37.7088 $75417.6
2500 $37.316 $93290
54 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 20V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) à id 3.2V @ 6mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 20 V
vgs (max) +20V, -5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2770 pF @ 800 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 327W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-3
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMT3020LFDF-7
FKI10126
FKI10126
$0 $/morceau
BSP321PL6327
AOT296L
IRFR4104TRPBF
STF30N10F7
STF30N10F7
$0 $/morceau
NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1
$0 $/morceau
SQJA82EP-T1_BE3

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