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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de diode | Single Phase |
| technologie | Silicon Carbide Schottky |
| tension - crête inverse (max) | 1.2 kV |
| courant - moyen redressé (io) | 6.6 A |
| tension - directe (vf) (max) @ if | 2.1 V @ 4 A |
| courant - fuite inverse @ vr | 200 µA @ 1200 V |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | ISOPLUSi5-Pak™ |
| package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
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