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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 75V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 120A |
| rds activé (max) à id, vgs | 5.8mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 4V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 178nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 10500pF @ 25V |
| puissance - max | 170W |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | ISOPLUSi5-Pak™ |
| package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
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